本文來自方正證券研究所2021年6月13日發(fā)布的報告《國產芯片認知的五大誤區(qū)》。

由于集成電路產業(yè)鏈極其復雜，因而對半導體產業(yè)鏈有很多認知誤區(qū)，本文集中回答了最常見國產芯片五大誤區(qū)：

一、有了光刻機就能造芯片？

其實光刻只是半導體前道7大工藝環(huán)節(jié)（光刻、刻蝕、沉積、離子注入、清洗、氧化、檢測）中的一個環(huán)節(jié)，雖然是最重要的環(huán)節(jié)之一，但是離開了其他6個環(huán)節(jié)中的任何一個都不行。

集成電路的制造工藝分為“三大”＋“四小”工藝：

三大（75％）：光刻、刻蝕、沉積；

四�。�25％）：清洗、氧化、檢測、離子注入。

一般情況下光刻占整條產線設備投資的30％，與刻蝕機（25％）、PVD／CVD／ALD（25％）并列成為最重要的三大前道設備之一，所以并不是有了光刻機就能造芯片，光刻只是芯片制造工藝流程的中的一個，還需要其他6大前道工藝設備的支撐，其重要程度與光刻機同等重要。

二、中國最緊迫的是造出光刻機？

其實目前中國并不缺光刻機，缺的是其他6大類被美國廠商把持的工藝設備（沉積、刻蝕、離子注入、清洗、氧化、檢測）。

光刻機大致分為兩類：

1、DUV深紫外線光刻機：可以制備0．13um到7nm芯片；

2、EUV極紫外線光刻機：適合7nm到3nm以下芯片。

目前情況下DUV光刻機并不限制中國，還在正常供應，因為供應商重要來自于歐洲荷蘭的ASML以及日本Nikon、佳能，并不直接受美國禁令，但EUV目前并未買到。

在前序報告里提到，我們認為中國半導體未來將從全部外循環(huán)，轉向外循環(huán)＋內循環(huán)的雙循環(huán)架構，基于半導體是全球化深度分工的現(xiàn)實，外循環(huán)也就是團結非美系設備商依舊是重點和現(xiàn)實的選擇。目前前道設備格局是：

1、光刻機：由歐洲ASML和日本Nikon和Canon壟斷；

2、刻蝕、沉積、離子注入、清洗、氧化、檢測設備：由美國和日本壟斷，其中檢測設備由美系的KLA深度壟斷。

所以現(xiàn)在中國半導體擴產大背景下的內外雙循環(huán)的當務之急是依靠國產和聯(lián)合歐洲、日本去替代美國把持的非光刻設備，所以，與絕大多數(shù)人理解的不同，中國半導體制造并不缺光刻機。

三、“自研”就能解決芯片缺口？

其實目前大多數(shù)“自研”不僅不能解決目前的芯片缺口，反倒會加劇芯片短缺。

因為所謂的各大互聯(lián)網公司／車廠／手機廠商的“自研”芯片，其實只是芯片的設計環(huán)節(jié)，是芯片制造工藝的一個步驟，與我們所缺的芯片成品差了最為關鍵的芯片制造�，F(xiàn)在全球缺芯，缺的不是芯片設計，而是最為核心重要的芯片制造。

現(xiàn)在全民自研芯片，會加大晶圓廠的流片訂單，會持續(xù)加大芯片代工產能供需缺口。所以未來解決芯片缺口只能靠Fab制造廠（中芯、華虹）、IDM廠（華潤微、長存、長鑫），而不是靠“自研”（芯片設計）。

相對來說，芯片設計門檻相對較低，啟動快，見效快，商業(yè)模式與軟件開發(fā)類似，中國在諸多芯片設計fabless領域都已經全球領先，以華為海思為例，在被限制芯片代工之前，海思的各類芯片設計實力已經是全球前二。

所以現(xiàn)在更需要支持的是芯片制造領域，而不是芯片設計（自研），如果沒有穩(wěn)固的fab代工廠的支撐，fabless也不過是空中樓閣海市蜃樓。

四、目前中國只缺高端芯片？

當下其實中國缺的更多的反倒是成熟工藝，8寸比12寸緊缺，12寸的90／55nm比7／5nm緊缺。

成熟／先進工藝都很重要，缺一不可，一臺手機里面除了AP和DRAM外，其他絕大多數(shù)芯片都是成熟工藝。電車需要的芯片，特別是功率半導體芯片／MCU芯片都是成熟12寸或是8寸。

對于中國來說，不僅在先進工藝7／5／3nm與臺積電差距巨大，更大的差距體現(xiàn)在成熟工藝的產能。以等效8英寸產能計算，中芯國際的產能也就只有臺積電的10％～15％，差距依舊巨大，根本無法滿足國內的需求。

特別是國內的芯片設計上市公司，絕大多數(shù)都在成熟工藝節(jié)點，但是根本沒有本土配套的成熟代工產能與其配套；

韋爾股份的CIS／PMIC／Driver、兆易創(chuàng)新的NOR和MCU、匯頂科技的指紋識別、圣邦股份的模擬IC、卓勝微的射頻等芯片都在12寸的成熟工藝（90～45nm），而不是所謂的14／10／7／5nm先進工藝。更為重要的是，當下需求量最大的電車和光伏逆變器／MCU／功率芯片都是在8寸成熟產能上完成，這也是目前最缺的板塊，稀缺程度超過所謂的“先進”芯片。

所以，現(xiàn)在的當務之急反倒不是7／5／3nm，而是先做好成熟工藝。

五、中國要獨立建成自己的半導體工業(yè)體系？

其實半導體是一個深度全球化的行業(yè)，沒有任何一個國家能夠實現(xiàn)完全“國產化”。

目前的半導體全球布局是：

半導體設備：美國為主、歐洲日本為輔；

半導體材料：日本為主，美國歐洲為輔；

芯片代工：中國臺灣省為主，韓國為輔；

存儲芯片：韓國為主、美國日本為輔；

芯片設計：美國為主，中國大陸為輔；

芯片封測：中國臺灣省為主，中國大陸為輔；

EDA／IP：美國為主，歐洲為輔。

所以，我們可以看到全球沒有哪一個國家能夠覆蓋半導體的全產業(yè)鏈，所以全球化合作依舊是行業(yè)主流。

但是，由于中美的科技摩擦，對于中國來說，必須要進行雙循環(huán)。也就是從之前的外循環(huán)為主、內循環(huán)為輔，改變成現(xiàn)在的外循環(huán)為輔、內循環(huán)為主。

所以，面對美國對中國的條件約束，當務之急就是針對美國的強勢領域進行替代，并盡最大努力對美國之外的（歐洲、日本等）繼續(xù)進行外循環(huán)。

目前美國把持的核心技術集中體現(xiàn)在除光刻機之外的半導體設備（PVD、檢測、CVD、刻蝕機、清洗機、離子注入、氧化、外延、退火），另外就是EDA開發(fā)軟件。

風險提示：中美貿易摩擦加劇、地緣政治加劇的風險；國產替代不及預期的風險；半導體下游需求不及預期的風險。

前序報告：《中國半導體走向何方？》《認知華為的三個階段》《國產設備的格局》《分析師眼里的半導體變局》